[发明专利]MTJ自旋霍尔MRAM位单元以及阵列有效
| 申请号： | 201380076782.0 | 申请日： | 2013-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN105229741B | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | S·马尼帕特鲁尼;D·E·尼科诺夫;I·A·扬 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;G11C11/18;H01L27/22;H01L43/06;H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 王英,陈松涛 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了装置1T‑1磁性隧道结(MTJ)自旋霍尔磁性随机存取存储器(MRAM)位单元和阵列，及其形成的方法。该装置包括选择线；具有自旋霍尔效应(SHE)材料的互连部，该互连部耦合到写入位线；耦合到选择线和互连部的晶体管，该晶体管可以由字线来控制；以及具有耦合到互连部的自由磁性层的MTJ器件。 | ||
| 搜索关键词： | mtj 自旋 霍尔 mram 单元 以及 阵列 | ||
【主权项】：
一种存储器装置，该装置包括：选择线；具有自旋霍尔效应(SHE)材料的互连部，所述互连部耦合到写入位线；耦合到所述选择线和所述互连部的晶体管，所述晶体管能够由字线控制；以及具有自由磁性层的磁性隧道结器件，所述自由磁性层耦合到所述互连部。
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