[发明专利]光半导体集成元件以及其制造方法

摘要

本发明涉及光半导体集成元件以及其制造方法，消除元件制造困难性，并且降低光的传输损耗。具备由至少层叠第1导电型下部包覆层、波导芯层以及上部包覆层而成的层叠构造构成的条纹状的波导，并由第2导电型上部包覆层、和在与波导的主要的延伸方向垂直的方向上偏移地具有折曲部的i型上部包覆层来形成上部包覆层。

主权项

一种光半导体集成元件，是具备由在半导体基板上至少层叠第1导电型下部包覆层、波导芯层以及上部包覆层而成的层叠构造构成的条纹状的波导的光半导体集成元件，其特征在于，上述上部包覆层具有与上述第1导电型相反导电型且在上述波导的延伸方向上被分离的第2导电型上部包覆层、和连接上述被分离的第2导电型上部包覆层间的i型上部包覆层，设置有上述i型上部包覆层的波导区域和设置有至少2个以上的上述第2导电型上部包覆层的波导区域在与上述波导的主要的延伸方向垂直的方向上偏移，设置有上述i型上部包覆层的波导区域和设置有上述第2导电型上部包覆层的波导区域通过折曲部连接。