[发明专利]CMOS可兼容的多晶硅化物熔丝结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201380076882.3 | 申请日： | 2013-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN105283961B | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | J-Y·D·叶;C-H·杨;W·M·哈佛滋;J·帕克 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 何焜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了CMOS可兼容的多晶硅化物熔丝结构和制造CMOS可兼容的多晶硅化物熔丝结构的方法。在示例中，半导体结构包括衬底。多晶硅化物熔丝结构设置在衬底之上并且包括硅和金属。金属氧化物半导体(MOS)晶体管结构设置在衬底之上并且包括金属栅电极。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 兼容 多晶 硅化物熔丝 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：衬底；设置在所述衬底之上的第一和第二半导体鳍片；多晶硅化物熔丝结构，所述多晶硅化物熔丝结构设置在第一半导体鳍片之上，但不在第二半导体鳍片之上，所述多晶硅化物熔丝结构包括硅和金属，所述多晶硅化物熔丝具有最高表面；以及金属氧化物半导体(MOS)晶体管结构，所述MOS晶体管结构从第二半导体鳍片形成，但不从第一半导体鳍片形成，所述MOS晶体管结构包括金属栅电极，其中所述MOS晶体管具有高于所述多晶硅化物熔丝的最高表面的最高表面，其中所述衬底是块状单晶硅衬底，并且所述多晶硅化物熔丝结构设置在隔离区域上，所述隔离区域设置在块状单晶硅衬底中。
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