[发明专利]细间距再分布线的保持在审
| 申请号： | 201380077002.4 | 申请日： | 2013-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN105814679A | 公开（公告）日： | 2016-07-27 |
| 发明（设计）人： | K.J.李;H.科萨里;W.M.利特尔 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/525;H01L23/48 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 徐予红;张懿 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 实施例包括一种半导体装置，其包括：再分布层（RDL），所述再分布层（RDL）包含具有两个RDL侧壁的图案化RDL线，所述RDL包含选自包括Cu和AU的组的材料；直接接触所述两个RDL侧壁的保护侧壁；包含所述材料的种子层；以及阻挡层；其中（a）所述RDL线具有与所述两个RDL侧壁正交且在所述两个RDL侧壁之间延伸的RDL线宽，以及（b）所述种子层和阻挡层各包括与所述RDL线宽平行且比所述RDL线宽更宽的宽度。本文描述了其他实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 间距 再分 布线 保持 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其包括：再分布层（RDL），所述再分布层（RDL）包括具有两个RDL侧壁的图案化RDL线，所述RDL包含材料；直接接触所述两个RDL侧壁的保护侧壁；包含所述材料的种子层；以及阻挡层；其中（a）所述RDL线具有与所述两个RDL侧壁正交且在所述两个RDL侧壁之间延伸的RDL线宽，以及（b）所述种子层和阻挡层各包括与所述RDL线宽平行且比所述RDL线宽更宽的宽度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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