[发明专利]传感阵列的场线中继器(FLR)结构有效

专利信息
申请号: 201380077474.X 申请日: 2013-09-10
公开(公告)号: CN105308541B 公开(公告)日: 2019-01-18
发明(设计)人: 欧勒山德·霍斯塔纳 申请(专利权)人: 赛普拉斯半导体公司
主分类号: G06F3/041 分类号: G06F3/041
代理公司: 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 代理人: 张瑞;郑霞
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 用于传感阵列的场线中继器结构的装置和方法进行了描述。一个装置包括基底、带有布置在一个或多个层中的基底的一个或多个侧面的电极的电容传感阵列和布置成覆盖电容传感阵列的保护覆盖层。涂膜布置在保护覆盖层上且浮动电极的场线中继器(FLR)结构布置在涂膜和保护覆盖层之间。
搜索关键词: 传感 阵列 中继 flr 结构
【主权项】:
1.一种触摸传感设备,包括:电容传感阵列,其包括布置在第一层中的多个电极;材料的第二层,其覆盖所述电容传感阵列;材料的第三层,其布置在所述第二层上;以及场线中继器结构,其包括布置在所述第二层和所述第三层之间的多个浮动电极,其中,所述多个电极是菱形形状的电极并且被排列成多个行和多个列,其中,所述多个浮动电极包括第一组浮动电极,所述第一组浮动电极以菱形形状排列,且布置成重叠在所述多个行的第一行中的所述菱形形状的电极中至少两个的部分且重叠在所述多个列的第一列中的所述菱形形状的电极中至少两个的部分。
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