[发明专利]上游并联电弧故障插座保护方法有效
| 申请号： | 201380077642.5 | 申请日： | 2013-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN105308812B | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 约瑟夫·贝尔史密特;杰里米·D·施罗德 | 申请（专利权）人： | 施耐德电气美国股份有限公司 |
| 主分类号： | H02H1/00 | 分类号： | H02H1/00;H02H3/00;H02H3/02;H02H3/04 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 陆建萍;郑霞 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开一种电弧故障电路中断器(AFCI)插座，其检测并中断上游并联电弧故障。示例AFCI插座包括耦合在插座的线导体和中性导体之间的开关元件。插座还包括电压传感器和电流传感器。从感测出的电压降和未检测出对应的电流增加检测出并联上游电弧故障。在检测出电弧故障时，开关元件闭合并且电流流过相对较低电阻的开关元件从而中断流过电弧故障的电力。闭合的开关元件导致过流情况，从而引起上游常规热磁断路器跳闸。 | ||
| 搜索关键词： | 上游 并联 电弧 故障 插座 保护 方法 | ||
【主权项】：
1.一种执行电弧故障保护和检测的插座，所述插座位于断路器的下游，所述插座包括：开关元件，其耦合在线导体和中性导体之间，并具有打开位置和将所述线导体耦合至所述中性导体的闭合位置；电压传感器，其耦合在所述线导体和所述中性导体之间；电流传感器，其耦合在所述线导体上；以及控制器，其耦合至所述开关元件、所述电流传感器和所述电压传感器，所述控制器检测所述线导体上的大电压降以及所述线导体上的电流没有对应实质增加的情况，该情况表示所述插座和所述断路器之间的并联电弧故障，且所述控制器响应于所述检测闭合所述开关元件，其中，所述开关元件的闭合位置为电流流动产生足以致使所述断路器跳闸的低电阻路径。
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