[发明专利]发光元件的制造方法有效

专利信息
申请号: 201380077701.9 申请日: 2013-07-05
公开(公告)号: CN105324857B 公开(公告)日: 2019-01-11
发明(设计)人: 黄建富;詹耀宁;徐子杰;陈怡名;邱新智;吕志强;许嘉良;张峻贤 申请(专利权)人: 晶元光电股份有限公司
主分类号: H01L33/38 分类号: H01L33/38;H01L27/15;H01L33/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 陈小雯
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种发光元件的制造方法,包括提供第一基板(201)及位于第一基板(201)上的多个半导体叠层块(202,231‑235),其中该第一基板(201)上包括分隔两相邻的半导体叠层块的分隔道且该分隔道具有一宽度小于10μm,多个半导体叠层块(202,231‑235)包括第一电性半导体层(202a)、位于第一电性半导体层(202a)上的发光层(202b),位于发光层(202b)之上的第二电性半导体层(202c),还包括实行第一分离步骤,分离第一半导体叠层块(232)与第一基板(201),第一基板(201)留有第二半导体叠层块(231);以及实行第二接合步骤,包括对位接合该第一半导体叠层块于该第二半导体叠层块之上。
搜索关键词: 发光 元件 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种发光元件的制造方法,包括:提供第一基板及多个半导体叠层块于该第一基板上,其中该第一基板上包括分隔两相邻的半导体叠层块的一分隔道且该分隔道具有一宽度小于10μm,各该多个半导体叠层块包括第一电性半导体层、位于该第一电性半导体层之上的发光层、以及位于该发光层之上的第二电性半导体层,其中该多个半导体叠层块包括一第一半导体叠层块及一第二半导体叠层块;实行第一分离步骤,包括分离该第一半导体叠层块与该第一基板,且该第一基板存留有该第二半导体叠层块;以及实行接合步骤,包括对位接合该第一半导体叠层块于该第二半导体叠层块之上。
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