[发明专利]太阳能电池的制造方法在审
| 申请号： | 201380078121.1 | 申请日： | 2013-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN105378938A | 公开（公告）日： | 2016-03-02 |
| 发明（设计）人： | 平松孝浩;织田容征;白幡孝洋;川原村敏幸;藤田静雄 | 申请（专利权）人： | 东芝三菱电机产业系统株式会社;国立大学法人京都大学;高知县公立大学法人 |
| 主分类号： | H01L31/028 | 分类号： | H01L31/028;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 雒运朴 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在本发明的太阳能电池的制造方法中包括以下的工序。将包含铝元素的溶液(14)雾化。然后，在大气中，向p型硅基板(4)的主面雾状喷出雾化后的溶液(14)，从而形成氧化铝膜(5)。然后，利用形成有该氧化铝膜(5)的p型硅基板来制作太阳能电池。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，包括：(A)准备具有p型的导电型的硅基板(4)的工序；(B)在所述硅基板的主面形成钝化膜(5)的工序；以及(C)利用形成有所述钝化膜的所述硅基板来制作太阳能电池的工序，所述工序(B)包括：(B‑1)将含有铝元素的溶液(14)雾化的工序；以及(B‑2)通过在大气中向所述硅基板的所述主面雾状喷出所述雾化后的所述溶液，从而形成氧化铝膜即所述钝化膜的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
