[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201380078314.7 申请日: 2013-07-16
公开(公告)号: CN105393354B 公开(公告)日: 2018-05-25
发明(设计)人: 荒木慎太郎;爱甲光德;白泽敬昭;哈利德·哈桑·候赛因 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H01L25/18;H01L23/48;H02M7/00
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 何立波;张天舒
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 具有:由导电体形成的第1基板;第1二极管,其具有第1阴极电极和第1阳极电极,该第1阴极电极与该第1基板电连接;由导电体形成的第2基板;第1开关元件,其具有第1发射极电极以及第1集电极电极,该第1集电极电极与该第2基板电连接;第2开关元件,其具有第2发射极电极以及第2集电极电极,该第2集电极电极与该第2基板电连接;第1端子,其与该第2基板电连接;第2端子,其与该第1阳极电极电连接;第3端子,其与该第1发射极电极、该第2发射极电极以及该第1基板电连接;以及模塑树脂,其使该第1端子、该第2端子以及该第3端子的一部分露出在外部,并将该第1二极管、该第1开关元件以及该第2开关元件覆盖。
搜索关键词: 电连接 发射极电极 集电极电极 开关元件 第2基板 第1基板 二极管 阳极电极 阴极电极 导电体 半导体装置 模塑树脂 外部 覆盖
【主权项】:
1.一种半导体装置,其特征在于,具有:由导电体形成的第1基板;第1二极管,其具有第1阴极电极和第1阳极电极,所述第1阴极电极与所述第1基板直接电连接;由导电体形成的第2基板;第1开关元件,其具有第1发射极电极、第1集电极电极以及第1栅极电极,所述第1集电极电极与所述第2基板直接电连接;第2开关元件,其具有第2发射极电极、第2集电极电极以及第2栅极电极,所述第2集电极电极与所述第2基板直接电连接;第1端子,其与所述第2基板直接电连接;第2端子,其与所述第1阳极电极直接电连接;第3端子,其与所述第1发射极电极、所述第2发射极电极以及所述第1基板直接电连接;以及模塑树脂,其使所述第1端子、所述第2端子以及所述第3端子的一部分露出在外部,并将所述第1基板、所述第1二极管、所述第2基板、所述第1开关元件以及所述第2开关元件覆盖,所述第1开关元件和所述第2开关元件形成于所述第2基板。
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