[发明专利]制备中空硅球的方法及由该方法制备的中空硅球在审
| 申请号： | 201380078422.4 | 申请日： | 2013-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN105705460A | 公开（公告）日： | 2016-06-22 |
| 发明（设计）人： | 窦玉倩;刘源;邱新平;张敬君;周龙捷;郭勋 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司;清华大学 |
| 主分类号： | C01B33/02 | 分类号： | C01B33/02;H01M4/134;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 苗征;于辉 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明提供一种制备中空硅球的方法、由此得到的中空硅球，以及使用所述中空硅球的阳极材料、负极和锂离子电池。本发明的方法包括使用纳米颗粒作为模版，利用硅源通过化学气相沉积在所述纳米颗粒上形成硅涂层，随后去除所述模版，并进行纯化。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 中空 方法 | ||
【主权项】：
制备中空硅球的方法，其包括：使用纳米颗粒作为模版，利用硅源通过化学气相沉积在所述纳米颗粒上形成硅涂层，随后去除所述模版，并进行纯化。
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