[发明专利]半导体检查方法、半导体检查装置以及半导体元件的制造方法

摘要

在本发明的半导体检查装置的半导体检查方法中，选择入射能量和负电位来进行控制，向晶圆的检查面扫描一次电子而检测二次电子，取得第一检查图像，通过基于预先确定的二次电子的信号量的阈值的图像处理，判别包含在第一检查图像中的宏观缺陷、层叠缺陷、基面位错和贯通位错。另外，选择入射能量和正电位来进行控制，向晶圆的检查面扫描一次电子而检测二次电子，取得第二检查图像，通过基于预先确定的二次电子的信号量的阈值的图像处理，判别包含在第二检查图像中的点形状图形的贯通螺旋位错。

主权项

一种半导体检查方法，其使用半导体检查装置来检查半导体晶圆，上述半导体检查装置检测通过向上述半导体晶圆照射带电粒子束而产生的二次电子并进行图像处理，检查上述半导体晶圆，该半导体检查方法的特征在于，上述半导体晶圆是单晶晶圆或形成了外延层的晶圆，上述半导体检查方法包括如下步骤：第一步骤，向设置在上述半导体晶圆和物镜之间的相对电极施加以上述半导体晶圆的电位为基准的正电位或负电位；第二步骤，根据上述带电粒子束和上述二次电子的电流量，计算二次电子释放率；第三步骤，决定上述二次电子释放率比1大的入射能量、在上述入射能量下上述二次电子释放率比1小的上述负电位、以及上述二次电子释放率比1大的上述正电位；第四步骤，选择上述入射能量和上述负电位；第五步骤，其在上述第四步骤后被执行，向上述半导体晶圆的检查面扫描上述带电粒子束，检测上述二次电子；以及第六步骤，取得通过上述第五步骤得到的第一检查图像，根据预先确定的上述二次电子的信号量的阈值，判别包含在上述第一检查图像中的宏观缺陷、层叠缺陷、基面位错和贯通位错。