[发明专利]用基于石墨烯的晶体管对处理器进行良率优化在审
申请号: | 201380078867.2 | 申请日: | 2013-08-15 |
公开(公告)号: | CN106030805A | 公开(公告)日: | 2016-10-12 |
发明(设计)人: | M·波特科尼亚克;S·米格尔迪奇安 | 申请(专利权)人: | 英派尔科技开发有限公司 |
主分类号: | H01L27/28 | 分类号: | H01L27/28;H01L51/40;H01L51/30;H01L21/02;H01L21/77 |
代理公司: | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人: | 孟锐 |
地址: | 美国,*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本文所述的技术大体上包括在IC设计中与选择石墨烯和非石墨烯晶体管的组合相关的方法和系统。为了减少石墨烯晶体管造成的泄漏能量的增加,在IC设计中可用石墨烯晶体管替换选择的非石墨烯晶体管而在IC设计中其他非石墨烯晶体管可保留。为了限制IC设计中石墨烯晶体管的数量,可主要在IC设计中实现明显延迟受益的位置处用石墨烯晶体管替换非石墨烯晶体管。 | ||
搜索关键词: | 基于 石墨 晶体管 处理器 进行 优化 | ||
【主权项】:
一种在集成电路(IC)设计中选择异质晶体管组合的方法,所述方法包括:识别与所述IC设计相关的多个级别,其中每个级别包括一个或多个组合元件,所述组合元件包括由非石墨烯半导体材料形成的晶体管并且配置为从包括在所述IC设计的紧接之前级别中的至少一个组合元件、至少一个顺序元件,或二者的组合接收信号;选择与所述IC设计相关的所述多个级别之一;用包括由石墨烯形成的晶体管的组合元件替换所选择的所述多个级别之一中的组合元件,以形成第一构造;确定与所述第一构造相关的能量泄漏速率;确定与所述第一构造相关的延时;比较所确定的延时与所述IC设计的目标延时和所确定的能量泄漏速率与所述IC设计的目标能量泄漏速率;和响应所确定的能量泄漏速率小于所述目标能量泄漏速率同时所述确定的延时符合所述目标延时,选择与所述IC设计相关的所述多个级别的另一个并且用包括由石墨烯形成的晶体管的组合元件替换所述多个级别中的所述另一个中的组合元件,以形成第二构造。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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