[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201380079101.6 | 申请日： | 2013-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN105493293B | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 望月和浩;龟代典史 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/329;H01L29/06;H01L29/868 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 钟晶;金鲜英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供在具有碳化硅器件的半导体装置中，能够抑制耐压变动且实现终端结构的低面积化的技术。为了解决上述课题，本发明中，在具有碳化硅器件的半导体装置中，在结终端部设置p型的第一区域、以及比第一区域更靠近外周侧而设置的p型的第二区域，在第一区域设置第一浓度梯度，在第二区域设置比第一浓度梯度大的第二浓度梯度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体装置 第一区域 浓度梯度 碳化硅器件 第二区域 终端结构 结终端 耐压 外周 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具备：半导体基板、在所述半导体基板的表面形成的n型的半导体层、以及在所述半导体层的上表面侧形成的结终端部，所述结终端部具备：p型的第一区域、以及在比所述第一区域更靠近所述半导体基板的端部侧而设置的p型的第二区域，所述第一区域具有第一浓度梯度，所述第二区域具有大于所述第一浓度梯度的第二浓度梯度，所述第一浓度梯度为1.6×1015cm‑3/μm以下，所述第二浓度梯度为大于1.6×1015cm‑3/μm且6.3×1015cm‑3/μm以下，所述第一区域朝向所述第二区域浓度逐渐变低。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日立制作所，未经株式会社日立制作所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201380079101.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
