[发明专利]用于FINFET架构的用固态扩散源掺杂的隔离阱有效
| 申请号： | 201380079126.6 | 申请日： | 2013-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN105493253B | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | W·M·哈菲兹;C-H·简;J-Y·D·叶;张旭佑;N·迪亚斯;C·穆纳辛哈 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 72002 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陈松涛;王英<国际申请>=PCT/US2 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 沿非平面半导体鳍状物结构的一部分形成杂质源膜。所述杂质源膜可以用作杂质来源，所述杂质在从源膜扩散到所述半导体鳍状物中之后变得具有电活性。在一个实施例中，杂质源膜被设置为与设置在鳍状物的有源区与衬底之间的子鳍状物区的一部分的侧壁表面相邻，并且比所述有源区更接近所述衬底。在其它实施例中，所述杂质源膜可以提供掺杂剂的源，所述掺杂剂使所述子鳍状物区相对于所述衬底的区域被互补掺杂，以形成P/N结，所述P/N结是将有源鳍状物区与所述衬底的区域电隔离的隔离结构的至少一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 finfet 架构 固态 扩散 掺杂 隔离 | ||
【主权项】：
1.一种集成微电子器件，包括：/n衬底；/n第一晶体管，其包括从所述衬底延伸出来的非平面半导体鳍状物，所述非平面半导体鳍状物具有设置在所述非平面半导体鳍状物的有源区与所述衬底之间的子鳍状物区，其中，所述子鳍状物区还包括接近所述衬底的下层子鳍状物区和接近所述有源区的上层子鳍状物区；/n第一杂质源膜，其被设置为与所述下层子鳍状物区的侧壁表面相邻，并且所述上层子鳍状物区不存在所述第一杂质源膜，其中，所述第一杂质源膜包括存在于所述下层子鳍状物区中的杂质；以及/n栅极叠置体，其被设置为与所述有源区的侧壁表面相邻。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
