[发明专利]反应性溅射装置

摘要

反应性溅射装置具备阴极装置(18)，阴极装置(18)向化合物膜的形成区域(R1)放射溅射粒子。阴极装置(18)具备：扫描部(27)，其在相对区域(R2)扫描烧蚀区域；以及靶(23)，其形成有烧蚀区域，扫描方向上的长度短于相对区域(R2)。扫描部(27)从开始位置(St)朝向相对区域(R2)扫描烧蚀区域，在开始位置(St)上，扫描方向上的形成区域(R1)的2个端部中的溅射粒子先到达的第1端部(Re1)与靶(23)的第1端部(23e1)的距离(D1)在扫描方向上为150mm以上，靶(23)的第1端部(23e1)在扫描方向上离形成区域的第1端部(Re1)近。

主权项

1.一种反应性溅射装置，具备阴极装置，所述阴极装置朝向应形成于成膜对象物的化合物膜的形成区域放射溅射粒子，与所述形成区域相对的空间是相对区域，所述阴极装置具备：扫描部，其在所述相对区域扫描烧蚀区域；以及靶，其形成有所述烧蚀区域，该靶在扫描方向上的长度短于所述相对区域，所述扫描部从开始位置朝向所述相对区域扫描所述烧蚀区域，在所述开始位置上，所述形成区域在所述扫描方向上的2个端部中的所述溅射粒子先到达的第1端部与所述靶的第1端部的距离在所述扫描方向上为150mm以上，所述靶的第1端部为在所述扫描方向上离所述形成区域的所述第1端部最近的所述靶表面的1点，所述烧蚀区域是形成于所述靶的2个烧蚀区域中的1个，所述2个烧蚀区域包含第1烧蚀区域和第2烧蚀区域，所述第1烧蚀区域在所述开始位置上离所述形成区域的所述第1端部近，第2烧蚀区域在所述开始位置上离所述形成区域的所述第1端部远，所述阴极装置具备：第1遮蔽部，所述第1遮蔽部在所述开始位置上配置于所述扫描方向上的所述靶的所述第1端部与所述形成区域的所述第1端部之间；第2遮蔽部，所述第2遮蔽部在所述开始位置上配置于所述扫描方向上的比第2端部离所述形成区域远的位置，所述第2端部是在所述扫描方向上离所述形成区域远的所述靶的端部；磁路，其相对于所述靶配置于与所述形成区域相反的一侧，在所述靶上形成有所述烧蚀区域；以及磁路扫描部，其在所述扫描方向上在所述靶的所述第1端部与所述第2端部之间扫描所述磁路，所述第1遮蔽部使从所述第1烧蚀区域向所述靶朝向的方向放射的所述溅射粒子中的向所述形成区域的入射角度为30°以下的溅射粒子不到达所述形成区域，所述磁路与所述第1遮蔽部之间的距离根据所述磁路的扫描而改变，所述第2遮蔽部使从所述第2烧蚀区域朝向与所述靶朝向的方向相反的一侧放射的溅射粒子中的向所述形成区域的入射角度为30°以下的溅射粒子不到达所述形成区域，所述靶是沿着所述扫描方向排列的2个靶中的1个，所述2个靶包含第1靶和第2靶，所述第1靶在所述开始位置上离所述形成区域近，所述第2靶在所述开始位置上比所述第1靶离所述形成区域远，所述第2遮蔽部使从所述第1靶的所述第1烧蚀区域向与所述靶朝向的方向相反的方向放射的所述溅射粒子中的向所述形成区域的入射角度为9°以下的溅射粒子不到达所述形成区域，所述阴极装置具备第3遮蔽部，所述第3遮蔽部在所述扫描方向上配置于所述2个靶之间。