[发明专利]具有用于应力和带隙调节的可变包覆层/芯尺寸的晶体管结构有效
| 申请号： | 201380079217.X | 申请日： | 2013-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN105684154B | 公开（公告）日： | 2019-08-20 |
| 发明（设计）人： | W·拉赫马迪;V·H·勒;R·皮拉里塞泰;M·拉多萨夫列维奇;G·杜威;N·慕克吉;J·T·卡瓦列罗斯;R·S·周;B·舒-金;R·科特利尔 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/20;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 王英;陈松涛 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种装置，包括设置在衬底上且限定沟道区的异质结构，该异质结构包括具有小于衬底材料带隙的第一带隙的第一材料和具有大于第一带隙的第二带隙的第二材料；和在沟道区上的栅极叠置体，其中第二材料被设置在第一材料和栅极叠置体之间。该方法包括在衬底上形成具有第一带隙的第一材料；在第一材料上形成具有大于第一带隙的第二带隙的第二材料；和在第二材料上形成栅极叠置体。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 用于 应力 调节 可变 覆层 尺寸 晶体管 结构 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管设备，包括：位于衬底上的沟道区和结区，所述结区位于所述沟道区的相对侧上，所述沟道区和所述结区均包括具有第一带隙的芯部材料和位于所述芯部材料上并具有第二带隙的包覆材料，所述第二带隙小于所述第一带隙，其中，在所述沟道区中，所述包覆材料完全包围所述芯部材料；以及位于所述沟道区上的栅极叠置体，所述栅极叠置体包括栅极电介质和栅极电极。
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