[发明专利]自旋电子逻辑元件有效
| 申请号： | 201380079248.5 | 申请日： | 2013-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN105493292B | 公开（公告）日： | 2019-09-06 |
| 发明（设计）人： | D·E·尼科诺夫;S·马尼帕特鲁尼;M·基申维斯凯;I·A·扬 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/82 | 分类号： | H01L29/82;H01L43/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 实施例包括被实施为自旋逻辑器件的C元件逻辑门，所述C元件逻辑门通过利用自旋电子技术实施C元件来提供异步逻辑的紧凑且低功率的实施方式。实施例包括：包括第一接触部和第一固定磁层的第一纳米柱；包括第二接触部和第二固定磁层的第二纳米柱；以及包括第三接触部、隧道势垒和第三固定磁层的第三纳米柱；其中，(a)所述第一纳米柱、所述第二纳米柱和所述第三纳米柱都形成在自由层之上，(b)所述第三固定磁层、所述隧道势垒和所述自由磁层形成磁隧道结(MTJ)。本文描述了其它实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 自旋 电子 逻辑 元件 | ||
【主权项】：
1.一种C元件，包括：第一纳米柱，其包括第一固定磁层并且耦合到第一接触部；第二纳米柱，其包括第二固定磁层并且耦合到第二接触部；以及第三纳米柱，其包括第三固定磁层并且耦合到第三接触部；其中，(a)所述第一纳米柱、所述第二纳米柱和所述第三纳米柱包括在所述C元件中，并全部形成在公共自由磁层之上，并且(b)所述第三固定磁层和所述自由磁层形成磁隧道结(MTJ)，其中，所述第一纳米柱和所述第二纳米柱形成在公共轴上，并且所述第三纳米柱形成在与所述公共轴正交的附加轴上。
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