[发明专利]浅槽纹理区域和相关方法有效
| 申请号： | 201380079262.5 | 申请日： | 2013-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN105849907B | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | H·哈达;J·蒋 | 申请（专利权）人： | 西奥尼克斯股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 11327 北京鸿元知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈英俊<国际申请>=PCT/US2013 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种光敏设备和相关方法。在一方面，例如，光敏成像器设备可包括半导体层，具有形成至少一个接合的多个掺杂区；纹理区，耦合到所述半导体层并与电磁辐射相互作用。所述纹理区可形成一系列浅槽隔离特征。 | ||
| 搜索关键词： | 纹理 区域 相关 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有加强电磁辐射吸收的光电设备，包括：/n半导体层，耦合到支撑基板；/n第一粘结层，耦合在所述半导体层和所述支撑基板之间；/n第二粘结层，设置在所述第一粘结层和所述支撑基板之间；/n反射器层，设置在所述第一粘结层和所述第二粘结层之间；以及/n一组浅槽隔离表面特征，位于所述半导体层和所述支撑基板之间，所述表面特征被定位与穿过所述半导体层的电磁辐射相互作用，其中，所述表面特征形成在所述半导体层中。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
