[发明专利]用于纳米线晶体管的内部间隔体及其制造方法

摘要

可以采用内部间隔体，来生产本说明书的纳米线晶体管，在内部间隔体制造期间，通过使用牺牲间隔体来形成内部间隔体。一旦形成了纳米线晶体管，就可以去除(分别)位于晶体管栅极以及源极和漏极之间的牺牲间隔体。然后，可以去除纳米线晶体管的沟道纳米线之间的牺牲材料，并且可以沉积电介质材料以填充沟道纳米线之间的空间。可以去除不在沟道纳米线之间的电介质材料以形成内部间隔体。然后可以与内部间隔体和晶体管沟道纳米线相邻，形成(分别)位于晶体管栅极与源极和漏极之间的外部间隔体。

主权项

一种形成纳米线晶体管的方法，包括：提供微电子结构，所述微电子结构具有：设置在衬底上的鳍结构，所述鳍结构具有多个沟道纳米线；邻接所述鳍结构的一部分的栅极结构，其中，所述栅极结构包括栅极电介质和栅极电极，所述栅极电介质围绕所述鳍结构中的所述多个沟道纳米线中的每个沟道纳米线，所述栅极电极邻接所述栅极电介质；邻接所述栅极电极的一端的牺牲间隔体，其中，所述间隔体邻接所述鳍结构中的包括由牺牲材料分开的所述沟道纳米线的部分；以及源极和漏极的其中之一，其邻接所述鳍结构的一端和所述牺牲间隔体；去除所述牺牲间隔体；从所述沟道纳米线之间去除所述牺牲材料；以及沉积电介质材料以形成间隔体，其中，所述电介质材料设置在所述沟道纳米线之间。