[发明专利]热处理装置以及具备该热处理装置的热处理系统有效
申请号: | 201380079510.6 | 申请日: | 2013-09-10 |
公开(公告)号: | CN105556651B | 公开(公告)日: | 2018-09-25 |
发明(设计)人: | 李炳一;李永浩;许官善 | 申请(专利权)人: | 泰拉半导体株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L31/18 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 姜虎;陈英俊 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 公开了热处理装置以及热处理系统。本发明涉及的热处理系统,其主体由价格相对低廉的金属材料形成,因此节约成本。形成腔室的内部主体由金属材料形成,因此内部主体不会破损,以包围内部主体的形式设置外部主体,因此防止腔室的气体向外部泄露。在形成腔室的内部主体的内部设置有第一加热器而对基板进行加热,因此内部主体的温度相对低于腔室的温度。由此,防止内部主体在高温下被气体腐蚀。在内部主体的内部设置第一加热器而对基板进行加热,因此提高加热性能。在内部主体的外面设置用于加热内部主体的第二加热器以及用于冷却内部主体的冷却管,能够防止气体在内部主体的内表面冷凝,进一步防止内部主体在高温下被气体腐蚀。多个基板载放于晶舟上,多个晶舟装载于腔室中,因此能够一次性处理大量基板,提高生产率。 | ||
搜索关键词: | 热处理 装置 以及 具备 系统 | ||
【主权项】:
1.一种热处理装置,其特征在于,包括:主体,形成有作为装载多个晶舟的空间的腔室,所述晶舟中分别载放有多个基板,在该主体的前面形成有出入口,所述主体由金属材料形成,并包括形成有所述腔室的内部主体和包围所述内部主体的外部主体;门,设置成能够沿着所述主体的前后方向以及左右方向滑动,用于开闭所述出入口;第一加热器,设置在所述主体的内部,用于加热所述基板,在所述内部主体的内部设置有用于形成均匀气流的风扇,在所述内部主体上形成有阻隔带,该阻隔带引导通过所述风扇强制流动的气流向所述基板侧供应。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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