[发明专利]半导体装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201380079555.3 申请日: 2013-09-11
公开(公告)号: CN105531816B 公开(公告)日: 2018-09-11
发明(设计)人: 坂本健 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L23/28 分类号: H01L23/28;H01L23/29
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 何立波;张天舒
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明的目的在于得到一种能够以较低成本形成且具有高绝缘性的树脂封装构造的半导体装置及其制造方法。并且,在本发明中,散热件(3)在背面的外周端部具有成为倒角部的塌角面(9)或者C面(29)。多个芯片化后的功率元件(4)经由焊料(28)而搭载于散热件(3)的表面之上,绝缘片部(2)设置于散热件(3)的背面侧。绝缘片部(2)以绝缘层(2a)及金属箔(2b)的层叠构造而形成,设置于上层的绝缘层(2a)与散热件(3)的背面密接。模塑树脂(1)填充于塌角面(9)和绝缘片部(2)之间的间隙区域(S2)。
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体装置(52),其构造为,半导体元件(4)由模塑树脂(1)封装,在该半导体装置中,具有:散热件(3),在该散热件的表面之上载置所述半导体元件;以及绝缘片部(20),其形成于所述散热件的背面之上,所述绝缘片部,呈现为金属层(20b)和与所述模塑树脂相比热传导率较大的绝缘层(20a)的层叠构造,所述绝缘层密接于所述散热件的背面之上,所述散热件在背面的外周端部具有通过R倒角加工或者C倒角加工而得到的倒角部(9、29),所述绝缘片部(20~22)具有:主体部(20m~22m),其沿所述散热件的背面构成同一平面;以及弯曲部(20x~22x),其是表面区域从所述主体部起弯曲而形成的,与所述倒角部密接,除所述主体部处的所述金属层的背面以外,所述模塑树脂将所述半导体元件、所述散热件以及所述绝缘片部封装,所述绝缘片部是以前端部相对于所述散热件伸出而形成的。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱电机株式会社,未经三菱电机株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201380079555.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top