[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
申请号: | 201380079555.3 | 申请日: | 2013-09-11 |
公开(公告)号: | CN105531816B | 公开(公告)日: | 2018-09-11 |
发明(设计)人: | 坂本健 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L23/28 | 分类号: | H01L23/28;H01L23/29 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 何立波;张天舒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的目的在于得到一种能够以较低成本形成且具有高绝缘性的树脂封装构造的半导体装置及其制造方法。并且,在本发明中,散热件(3)在背面的外周端部具有成为倒角部的塌角面(9)或者C面(29)。多个芯片化后的功率元件(4)经由焊料(28)而搭载于散热件(3)的表面之上,绝缘片部(2)设置于散热件(3)的背面侧。绝缘片部(2)以绝缘层(2a)及金属箔(2b)的层叠构造而形成,设置于上层的绝缘层(2a)与散热件(3)的背面密接。模塑树脂(1)填充于塌角面(9)和绝缘片部(2)之间的间隙区域(S2)。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置(52),其构造为,半导体元件(4)由模塑树脂(1)封装,在该半导体装置中,具有:散热件(3),在该散热件的表面之上载置所述半导体元件;以及绝缘片部(20),其形成于所述散热件的背面之上,所述绝缘片部,呈现为金属层(20b)和与所述模塑树脂相比热传导率较大的绝缘层(20a)的层叠构造,所述绝缘层密接于所述散热件的背面之上,所述散热件在背面的外周端部具有通过R倒角加工或者C倒角加工而得到的倒角部(9、29),所述绝缘片部(20~22)具有:主体部(20m~22m),其沿所述散热件的背面构成同一平面;以及弯曲部(20x~22x),其是表面区域从所述主体部起弯曲而形成的,与所述倒角部密接,除所述主体部处的所述金属层的背面以外,所述模塑树脂将所述半导体元件、所述散热件以及所述绝缘片部封装,所述绝缘片部是以前端部相对于所述散热件伸出而形成的。
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