[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201380079870.6 | 申请日： | 2013-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN105593986B | 公开（公告）日： | 2018-10-19 |
| 发明（设计）人： | 下手义和;马场伸治;岩崎俊宽;中川和之 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/12 | 分类号： | H01L23/12;H05K3/28 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 权太白;谢丽娜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种实施方式的半导体装置(SP1)，在配线基板2的基材层(2CR)与半导体芯片(3)之间层叠有与基材层紧贴的阻焊膜(第1绝缘层、SR1)以及与阻焊膜和半导体芯片紧贴的树脂体(第2绝缘层、4)。另外，阻焊膜的线膨胀系数在基材层的线膨胀系数以上，阻焊膜的线膨胀系数在树脂体的线膨胀系数以下，并且基材层的线膨胀系数小于树脂体的线膨胀系数。通过上述结构，能够抑制由温度循环负荷引起的半导体装置的损伤，提高可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：配线基板，具备基材层、形成于所述基材层的第1面的多个第1端子以及覆盖所述基材层的所述第1面的第1绝缘层；半导体芯片，具有正面、所述正面的相反侧的背面以及形成于所述正面的多个焊接焊盘，并且搭载于所述第1绝缘层上；以及第2绝缘层，配置于所述配线基板与所述半导体芯片之间，分别紧贴于所述第1绝缘层以及所述半导体芯片，所述多个第1端子分别从形成于所述第1绝缘层的第1开口部露出，所述配线基板的所述基材层以及所述第1绝缘层分别由多个填料粒子和含有玻璃纤维的树脂构成，所述第1绝缘层的线膨胀系数在所述基材层的线膨胀系数以上，并且所述第1绝缘层的线膨胀系数在所述第2绝缘层的线膨胀系数以下，并且所述基材层的线膨胀系数小于所述第2绝缘层的线膨胀系数。
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