[发明专利]损耗补偿光切换在审
| 申请号： | 201380080144.6 | 申请日： | 2013-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN105659129A | 公开（公告）日： | 2016-06-08 |
| 发明（设计）人： | 迈克尔·瑞恩·泰·谭;沙吉·瓦格西·马塔伊;韦恩·维克托·瑟林;保罗·凯斯勒·罗森伯格 | 申请（专利权）人： | 慧与发展有限责任合伙企业 |
| 主分类号： | G02B6/35 | 分类号： | G02B6/35;G02B6/28;G02B6/24 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 郭艳芳;康泉 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 损耗补偿补偿光开关包括光交叉开关和晶片键合半导体放大器(SOA)。光交叉开关具有多个输入端口和多个输出端口，并且位于第一半导体材料的基板上。晶片键合SOA包括晶片键合至该基板的表面的第二半导体材料层，使得晶片键合SOA半导体材料层的一部分与多个输入端口中的一个输入端口的一部分重叠。晶片键合SOA的第二半导体材料不同于基板的第一半导体材料。 | ||
| 搜索关键词： | 损耗 补偿 切换 | ||
【主权项】：
一种损耗补偿光开关，包括：光交叉开关，具有多个输入端口和多个输出端口，所述光交叉开关位于包括第一半导体材料的基板上；以及晶片键合半导体光放大器(SOA)，光耦合至所述光交叉开关的一端口以放大该端口处的光信号，其中所述晶片键合SOA包括晶片键合至所述基板的表面的第二半导体材料层，使得所述晶片键合SOA的半导体材料层的一部分与所述端口的光波导的一部分重叠，所述第二半导体材料不同于所述第一半导体材料。
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