[发明专利]单块物理可移位光波导有效
| 申请号： | 201380080655.8 | 申请日： | 2013-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN105829929B | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | D·N·哈奇森;H·荣;J·赫克 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12 |
| 代理公司： | 72002 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 刘瑜;王英<国际申请>=PCT/US20 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在光子集成电路(PIC)芯片内侧向延伸的光波导的一部分至少部分地摆脱基板而允许释放的波导端相对于基板以及相对于也制作在基板中的相邻的光子器件的物理移位。释放的波导端可以移位以调制光子器件与波导所传播的光模态之间的相互作用。在光子器件是光耦合器的实施例中，采用例如中阶梯光栅或阵列化波导光栅(AWG)，通过耦合器的模态传播可以经由释放的波导端的物理移位来调制。在一个这样的实施例中，通过以抵消光耦合器的温度相关性的方式使释放的波导端相对于耦合器移位，来降低集成光波分复用器(WDM)的热敏感度。 | ||
| 搜索关键词： | 物理 移位 波导 | ||
【主权项】：
1.一种单块光子集成电路(PIC)，包括：/n基板；/n布置在所述基板的第一区域上的光子器件；以及/n布置在所述基板的第二区域上的光波导，其中：/n所述波导的基板锚定部分远离所述光子器件，并且/n接近所述光子器件的所述波导的释放的部分在物理上摆脱所述基板以及在物理上摆脱所述光子器件，其中，释放的波导部分包括第一材料；并且其中：所述释放的波导部分的长度由一个或多个第二材料不对称地包覆，以在所述释放的波导部分中根据第一材料温度和第二材料温度诱发相对于所述基板和所述光子器件的挠曲。/n
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