[发明专利]具有基于混合几何形状的有源区的非平面半导体器件有效
| 申请号： | 201380081046.4 | 申请日： | 2013-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN105874572B | 公开（公告）日： | 2019-08-27 |
| 发明（设计）人： | S·金;R·里奥斯;F·费尔杜斯;K·J·库恩 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 描述了具有基于混合几何形状的有源区的非平面半导体器件。例如，半导体器件包括混合沟道区，所述混合沟道区包括设置在欧米伽‑FET部分上方的纳米线部分，所述欧米伽‑FET部分设置在鳍式‑FET部分上方。栅极叠置体设置在所述混合沟道区的暴露表面上。所述栅极叠置体包括栅极电介质层和设置在栅极电介质层上的栅极电极。源极区和漏极区设置在所述混合沟道区的两侧上。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 基于 混合 几何 形状 有源 平面 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：混合沟道区，所述混合沟道区包括设置在欧米伽‑FET部分上方的纳米线部分，所述欧米伽‑FET部分设置在鳍式‑FET部分上方；栅极叠置体，所述栅极叠置体设置在所述混合沟道区的暴露表面上，所述栅极叠置体包括栅极电介质层和设置在所述栅极电介质层上的栅极电极，所述栅极叠置体将所述纳米线部分与所述欧米伽‑FET部分完全分开；以及源极区和漏极区，所述源极区和漏极区设置在所述混合沟道区的两侧上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司，未经英特尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201380081046.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：汽车内饰件生产用模内镶片注塑模具
- 下一篇：与等离子体源耦合的LED型光源
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
