[发明专利]具有锥形波导结构的光电探测器有效
申请号: | 201380081086.9 | 申请日: | 2013-12-20 |
公开(公告)号: | CN105981184B | 公开(公告)日: | 2018-04-27 |
发明(设计)人: | B·文森特;A·费沙利 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L31/12 | 分类号: | H01L31/12 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人: | 刘瑜,王英 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 用于利用锥形波导结构来提供光到光电探测器的高效定向的技术和机制。在实施例中,半导体器件的锥形结构包括大致单晶硅。隐埋氧化物在锥形结构的单晶硅下方并且邻接锥形结构的单晶硅,并且多晶Si被设置在隐埋氧化物之下。在对半导体器件的操作期间,光在锥形结构中被重定向并且经由锗光电探测器的第一侧被接收。在另一个实施例中,定位在锗光电探测器的远侧上的一个或多个镜结构可以提供将光的一部分反射回锗光电探测器。 | ||
搜索关键词: | 具有 锥形 波导 结构 光电 探测器 | ||
【主权项】:
一种提供光电探测功能的半导体器件,所述半导体器件包括:单晶硅区域,其包括用于接收光的锥形结构;第一隐埋氧化物区域,其在所述第一隐埋氧化物区域的第一侧处与所述锥形结构相邻,所述第一隐埋氧化物区域将所述光朝着所述锥形结构的第一端重定向;多晶硅区域,其在与所述第一侧相对的所述第一隐埋氧化物区域的第二侧处与所述第一隐埋氧化物区域相邻;以及光电探测器,其与所述单晶硅区域相邻,所述光电探测器被耦合,以经由所述第一端来接收所述光并且基于所述光来生成电信号。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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