[发明专利]用于环绕栅极架构的选择性蚀刻有效
| 申请号： | 201380081248.9 | 申请日： | 2013-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN105993064B | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | S·H·宋;R·B·小蒂尔科特;A·默西;S·金;K·库恩 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/336 |
| 代理公司： | 72002 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陈松涛;韩宏<国际申请>=PCT/US2 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本公开内容涉及一种对牺牲材料进行蚀刻的方法。该方法包括：在反应室中供应半导体衬底，其中衬底包括被布置在衬底上的沟道以及被布置在沟道的至少一部分上的牺牲层。该方法还包括：向反应室供应卤间化合物蒸汽；利用卤间化合物蒸汽来对牺牲层的至少一部分进行蚀刻；以及从牺牲层下方暴露出所述沟道的至少一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 环绕 栅极 架构 选择性 蚀刻 | ||
【主权项】：
1.一种对牺牲材料进行蚀刻以形成晶体管的方法，包括：/n在反应室中供应半导体衬底，其中，所述衬底包括沟道材料和牺牲材料，所述牺牲材料被布置在所述沟道材料的至少一部分上，其中所述衬底还包括布置在所述牺牲材料和所述沟道材料上方的牺牲栅极电极；/n蚀刻所述牺牲栅极电极从而暴露所述沟道材料和所述牺牲材料的一部分；/n在所述反应室中提供蒸汽，所述蒸汽包括卤间化合物或卤素-稀有元素化合物；/n利用所述蒸汽对所述牺牲材料的至少一部分进行蚀刻；以及/n从所述牺牲材料下方暴露出所述沟道材料的至少一部分。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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