[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201380081425.3 申请日: 2013-12-04
公开(公告)号: CN105794094B 公开(公告)日: 2018-09-28
发明(设计)人: 河面英夫;王丸武志;齐藤省二 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H02M1/08 分类号: H02M1/08;H02M1/32
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 何立波;张天舒
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种电力设备所使用的半导体装置,该半导体装置具有:基座板(16);绝缘基板(29),其搭载于基座板(16)之上;以及电力用开关元件(21),其通过焊料层(31)而接合于绝缘基板之上,由基座板(16)、绝缘基板(29)以及电力用开关元件(21)构成模块,在模块之上具有控制基板(CS),在该半导体装置中,控制基板(CS)具有可变栅极电压电路(90),该可变栅极电压电路(90)对电力用开关元件(21)的集电极-发射极间电压进行测定,对栅极电压进行变更,以将由集电极-发射极间电压和集电极电流之积所规定的任意的目标电力供给至电力用开关元件(21)。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
1.一种半导体装置,其具有:基座板;绝缘基板,其搭载于所述基座板之上;以及电力用开关元件,其通过焊料层而接合于所述绝缘基板之上,由所述基座板、所述绝缘基板以及所述电力用开关元件构成模块,在所述模块之上具有控制基板,在所述半导体装置中,所述控制基板具有可变栅极电压电路,该可变栅极电压电路对所述电力用开关元件的集电极-发射极间电压进行测定,对栅极电压进行变更,以将由所述集电极-发射极间电压和集电极电流之积所规定的任意的目标电力供给至所述电力用开关元件,所述可变栅极电压电路对所述栅极电压进行调整,以供给使所述焊料层熔融的电力作为所述任意的目标电力。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱电机株式会社,未经三菱电机株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201380081425.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top