[发明专利]半导体装置有效
申请号: | 201380081425.3 | 申请日: | 2013-12-04 |
公开(公告)号: | CN105794094B | 公开(公告)日: | 2018-09-28 |
发明(设计)人: | 河面英夫;王丸武志;齐藤省二 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H02M1/08 | 分类号: | H02M1/08;H02M1/32 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 何立波;张天舒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及一种电力设备所使用的半导体装置,该半导体装置具有:基座板(16);绝缘基板(29),其搭载于基座板(16)之上;以及电力用开关元件(21),其通过焊料层(31)而接合于绝缘基板之上,由基座板(16)、绝缘基板(29)以及电力用开关元件(21)构成模块,在模块之上具有控制基板(CS),在该半导体装置中,控制基板(CS)具有可变栅极电压电路(90),该可变栅极电压电路(90)对电力用开关元件(21)的集电极-发射极间电压进行测定,对栅极电压进行变更,以将由集电极-发射极间电压和集电极电流之积所规定的任意的目标电力供给至电力用开关元件(21)。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置,其具有:基座板;绝缘基板,其搭载于所述基座板之上;以及电力用开关元件,其通过焊料层而接合于所述绝缘基板之上,由所述基座板、所述绝缘基板以及所述电力用开关元件构成模块,在所述模块之上具有控制基板,在所述半导体装置中,所述控制基板具有可变栅极电压电路,该可变栅极电压电路对所述电力用开关元件的集电极-发射极间电压进行测定,对栅极电压进行变更,以将由所述集电极-发射极间电压和集电极电流之积所规定的任意的目标电力供给至所述电力用开关元件,所述可变栅极电压电路对所述栅极电压进行调整,以供给使所述焊料层熔融的电力作为所述任意的目标电力。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
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