[发明专利]终止结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201380082040.9 | 申请日： | 2013-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN105981144B | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 庄乔舜;林哲雍;陈开宇;黃正鑫 | 申请（专利权）人： | 达尔科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 曹晓斐 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体装置包括：屏蔽栅极SHG晶体管，其位于衬底的有源区域中，所述有源区域由终止区域环绕；及第一多晶硅层，其位于所述SHG晶体管中。所述第一多晶硅层在所述终止区域上方延伸并进入所述终止区域中。 | ||
| 搜索关键词： | 终止 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其包括：屏蔽栅极SHG晶体管，其位于衬底的有源区域中，所述有源区域由终止区域环绕；及第一多晶硅层，其位于所述SHG晶体管中，所述第一多晶硅层在所述终止区域上方延伸并进入所述终止区域中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
