[其他]气体扩散组件、低温多晶硅处理腔室系统及令处理气体流入处理腔室的组件有效
申请号: | 201390000636.5 | 申请日: | 2013-07-23 |
公开(公告)号: | CN205382207U | 公开(公告)日: | 2016-07-13 |
发明(设计)人: | D·李;朴范洙;Y·崔;W·N·斯特林 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 黄嵩泉 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本实用新型提供气体扩散组件、低温多晶硅处理腔室系统及令处理气体流入处理腔室的组件。本实用新型包括:背板,具有入口用以提供一处理气体至处理腔室;扩散板,包含数个开口用以允许处理气体流入处理腔室;阻隔板,设置于背板及扩散板之间,包含数个开口;以及至少一气流引导元件(guide),设置于阻隔板及背板之间,适于引导该处理气体侧向地(laterally)流动。多个额外的特征被揭露。 | ||
搜索关键词: | 气体 扩散 组件 低温 多晶 处理 系统 流入 | ||
【主权项】:
一种气体扩散组件,包括:背板,具有入口用以提供处理气体至处理腔室;扩散板,包含数个开口,用以允许所述处理气体流入所述处理腔室;阻隔板,设置于所述背板及所述扩散板之间,所述阻隔板包含数个开口;以及至少一气流引导元件,设置于所述阻隔板及所述背板之间,适于引导所述处理气体侧向地流动。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的