[其他]太阳电池有效
申请号: | 201390000966.4 | 申请日: | 2013-10-10 |
公开(公告)号: | CN204885192U | 公开(公告)日: | 2015-12-16 |
发明(设计)人: | 吉川康志 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 戚传江;谢丽娜 |
地址: | 日本大阪*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及太阳电池,太阳电池(1)是如下结构:包括在基板(硅基板(11))的一面设置有极性不同的两种电极(N电极(15)、P电极(16))的背面电极型太阳电池单元(10)和在绝缘性基材(21)的一面设置有与所述电极对应的布线(N布线(22)和P布线(23))的布线基板(20),背面电极型太阳电池单元(10)的电极和布线基板(20)的布线进行电连接,绝缘性基材(21)向背面电极型太阳电池单元(10)侧弯曲,在背面电极型太阳电池单元(10)的相互相邻的电极之间形成凹处(K)。 | ||
搜索关键词: | 太阳电池 | ||
【主权项】:
一种太阳电池,包括在基板的一面设置有极性不同的两种电极的背面电极型太阳电池单元和在绝缘性基材的一面设置有与所述电极对应的布线的布线基板,其特征在于,所述背面电极型太阳电池单元的所述电极和所述布线基板的所述布线进行电连接,所述绝缘性基材向所述背面电极型太阳电池单元侧弯曲,在所述背面电极型太阳电池单元的相互相邻的所述电极之间形成凹处,所述绝缘性基材的凹处部分在所述背面电极型太阳电池单元的相互相邻的所述电极之间,与所述背面电极型太阳电池单元接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于夏普株式会社,未经夏普株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201390000966.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种PECVD沉积炉限位装置
- 下一篇:具有垂直沟道的半导体器件
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的