[发明专利]GaAs衬底上生长赝配高电子迁移晶体管材料及方法有效
| 申请号： | 201410000153.6 | 申请日： | 2014-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN103779405B | 公开（公告）日： | 2017-03-29 |
| 发明（设计）人： | 高汉超;尹志军 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 南京君陶专利商标代理有限公司32215 | 代理人： | 沈根水 |
| 地址： | 210016 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明是GaAs衬底上生长赝配高电子迁移晶体管半导体材料的外延结构及方法，其结构是半绝缘GaAs衬底上是GaAs缓冲层（2）；缓冲层上是第一势垒层（3）；第一势垒层上是第一平面掺杂层（4）；第一平面掺杂层上是第一隔离层（5）；第一隔离层上是沟道层（6）；沟道层上是第二隔离层（7）；第二隔离层上是第二平面掺杂层；第二平面掺杂层（8）上是第二势垒层（9）；第二势垒层上是接触层（10）。优点1）由于在势阱生长过程中采用交替生长超晶格结构，消除了应变弛豫，可以增加势阱中InGaAs势阱中In的组分；2）In组分增加能够明显增加势阱中二维电子气限制效应；3）In含量的增加直接增加了PHEMT材料迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | gaas 衬底 生长 赝配高 电子 迁移 晶体 管材 料及 方法 | ||
【主权项】：
GaAs衬底上生长赝配高电子迁移晶体管半导体材料的外延结构，其特征是包括GaAs衬底（1）、GaAs缓冲层（2）、第一势垒层（3）、第一平面掺杂层（4）、第一隔离层（5）、沟道层（6）、第二隔离层（7）、第二平面掺杂层（8）、第二势垒层（9）、接触层（10），其中GaAs衬底（1）上是GaAs缓冲层（2）；在GaAs缓冲层（2）上是第一势垒层（3）；第一势垒层（3）上是第一平面掺杂层（4）；第一平面掺杂层（4）上是第一隔离层（5）；第一隔离层（5）上是沟道层（6）；沟道层（6）上是第二隔离层（7）；第二隔离层（7）上是第二平面掺杂层（8）；第二平面掺杂层（8）上是第二势垒层（9）；第二势垒层（9）上是接触层（10）；所述沟道层（6）的结构由下至上依次是超晶格结构I，InGaAs沟道II，超晶格结构III；其中超晶格结构I是交替生长的材料，其中In的组分逐渐增加，超晶格结构III是交替生长的材料，其周期数和厚度与超晶格结构I相同只是生长顺序相反。
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