[发明专利]一种利用高温退火表征GaN外延层中位错的方法有效
| 申请号： | 201410000379.6 | 申请日： | 2014-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN103728469A | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 郝霄鹏;田媛;张雷;吴拥中;邵永亮;戴元滨;张浩东 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | G01Q30/20 | 分类号： | G01Q30/20 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 宁钦亮 |
| 地址： | 250100 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种利用高温退火表征GaN外延层中位错的方法，包括以下步骤：（1）将带有GaN外延层的衬底放入加热炉中，将加热炉密封；（2）将加热炉内气压抽至3×102-1×104Pa，向加热炉内通入N2至加热炉内气压升到室内实际气压值；（3）重复步骤（2）；（4）将加热炉的温度升到1000-1200℃后保温3分钟-20分钟，进行退火；（5）将加热炉温度降回到室温；（6）从加热炉中取出样品，并进行观察。该方法通过高温退火，在样品表面形成清晰的退火形貌，有效地显示GaN外延层中的位错，并可对位错的分布进行研究，不仅能够评估位错的密度，还能区分位错的种类，分析其表面退火坑的密度与晶体质量之间的关系，具有过程简单、操作方便快捷、实用性强的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 高温 退火 表征 gan 外延 层中位错 方法 | ||
【主权项】：
一种利用高温退火表征GaN外延层中位错的方法，其特征是：包括以下步骤：（1）将带有GaN外延层的衬底放入加热炉中，将加热炉密封；（2）将加热炉内气压抽至3×102‑1×104Pa，向加热炉内通入N2至加热炉内气压升到室内实际气压值；（3）再次将加热炉气压抽至3×102‑1×104Pa，向加热炉内通入N2至加热炉内气压升到室内实际气压值；（4）将加热炉的温度升到1000‑1200℃后，保温3分钟‑20分钟进行退火，加热炉温度由室温升到退火温度的时间为3小时‑8小时；（5）将加热炉温度由退火温度降回到室温，时间为8小时‑20小时；（6）从加热炉中取出样品，并利用显微镜进行观察。
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