[发明专利]一种制备碲-碲化铅纳米晶组装超晶格纳米线阵列的方法无效
申请号: | 201410000512.8 | 申请日: | 2014-01-01 |
公开(公告)号: | CN103757688A | 公开(公告)日: | 2014-04-30 |
发明(设计)人: | 薛方红;汪晓允;黄昊;刘璐;董星龙 | 申请(专利权)人: | 大连理工大学 |
主分类号: | C30B7/12 | 分类号: | C30B7/12;C30B29/62;C30B29/68;C30B29/46;B82Y40/00 |
代理公司: | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人: | 梅洪玉 |
地址: | 116024*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 一种制备碲-碲化铅纳米晶组装超晶格纳米线阵列的方法,属于纳米材料制备技术领域。其特征是该方法采用二次阳极氧化法制备的多孔阳极氧化铝为模板(PAA);在含有Pb和Te离子的点解液中;采用脉冲电化学沉积技术,施加负偏置电压,在PAA孔道中交替进行PbTe和Te元素的电化学沉积,最终得到的Te-PbTe纳米晶组装超晶格纳米线阵列。本发明的效果和益处是产物为呈有序排列的,由两种不同的物质交替构成的,即由碲纳米晶与铅碲纳米晶构成的碲-碲化铅纳米晶组装超晶格纳米线,制备方法简单,成本低廉,组分和结构易调控,在能源、热电、光学和电学等方面存在重要的潜在应用前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 制备 碲化铅 纳米 组装 晶格 阵列 方法 | ||
【主权项】:
一种制备碲‑碲化铅纳米晶组装超晶格纳米线阵列的方法,其特征包括以下步骤:(1)二次阳极氧化法制备多孔氧化铝模板电极:在酸性电解液中通过对铝箔进行阳极电化学腐蚀制备出多孔阳极氧化铝模板,在多孔阳极氧化铝模板的一面溅射蒸镀100nm~200nm的金膜作为电极;(2)进行脉冲电化学沉积:以步骤(1)得到的电极作为阴极,石墨作为阳极,使用含有Pb和Te元素的电沉积溶液,在氧化铝模板孔道中进行PbTe和Te元素的电化学沉积;(3)电沉积结束后,清洗样品,刻蚀掉氧化铝模板,即得到Te‑PbTe晶体组装超晶格纳米线阵列。
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