[发明专利]一种线阵ZnO纳米线异质结LED生物传感器及制备方法有效

专利信息
申请号: 201410001333.6 申请日: 2014-01-02
公开(公告)号: CN103760336A 公开(公告)日: 2014-04-30
发明(设计)人: 郭振;黎海文;吴一辉 申请(专利权)人: 中国科学院苏州生物医学工程技术研究所
主分类号: G01N33/543 分类号: G01N33/543
代理公司: 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 代理人: 余成俊
地址: 215163 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种线阵ZnO纳米线异质结LED生物传感器及制备方法,生物传感器基于蓝宝石衬底上外延p型GaN层,GaN层上制备阵列化n型ZnO纳米线,阵列化纳米线间隙采用PMMA或者parylene材料填充,阵列化纳米线顶部沉积有ITO低阻导电薄膜,在ITO低阻导电薄膜表面修饰有蛋白质及固定有抗体,ITO低阻导电薄膜表面制备有In金属引出电极,以Ni/Au合金作为p型GaN层电极。本发明呈现了半导体ZnO纳米线阵列异质结LED的光学性质实现生物传感的新颖技术,同时本发明传感器制备方法利用电子束直写(EBL)刻蚀和选择性外延生长的方法制备线阵ZnO纳米线异质结LED,也可利用纳米压印的方法替代电子束光刻实现批量化生产,结合磁分离技术可实现生物分子的无标、快速、高灵敏度检测的目的。
搜索关键词: 一种 zno 纳米 线异质结 led 生物 传感器 制备 方法
【主权项】:
一种线阵ZnO纳米线异质结LED生物传感器,其特征在于:包括有蓝宝石衬底,蓝宝石衬底上外延p型GaN层,p型GaN层上制备阵列化n型ZnO纳米线,阵列化纳米线间隙采用PMMA或者parylene材料填充,阵列化纳米线顶部沉积有ITO低阻导电薄膜,构成p型GaN‑n型ZnO纳米线阵列异质结LED;在ITO低阻导电薄膜表面修饰有蛋白质及固定有抗体,蛋白质及抗体作为传感器的一部分,蛋白质用于抗体固定,抗体用于生物分子的特异性识别,其中ITO低阻导电薄膜表面制备有In金属引出电极,以Ni/Au合金作为p型GaN层电极。
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