[发明专利]一种验证LED白光芯片电压高与ITO膜之间关系的方法有效
| 申请号： | 201410002151.0 | 申请日： | 2014-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN103713251A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 储志兵 | 申请（专利权）人： | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230012 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种验证LED白光芯片电压高与ITO膜之间关系的方法，包括以下步骤：1）选取测试中Vf1值高的异常芯片，首先将芯片浸泡氟化铵腐蚀液20～60sec以除去其钝化层二氧化硅；2）将上述已经去掉钝化层二氧化硅的芯片，再进行黄光P-SiO2光刻，黄光光刻完成后，浸泡ITO蚀刻液100～150sec，将其他地方的ITO膜去掉，去光阻后，重新进行ITO蒸镀；3）蒸镀完成后，进行黄光ITO光刻、再浸泡ITO蚀刻液蚀刻100～200sec，露出N电极及走道；4）去光阻后，再进行ITO熔合,最后完成点测。本发明高效验证Vf1偏高与所蒸镀ITO膜层质量之间的联系，从而可以很直观的判定出ITO膜质量对电性Vf1的影响，对产线ITO蒸镀工序做出预警，有利于提升产品品质。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 验证 led 白光 芯片 电压 ito 之间 关系 方法 | ||
【主权项】：
一种验证LED白光芯片电压高与ITO膜之间关系的方法，其特征在于：包括以下步骤：1）选取测试中Vf1值高的异常芯片， 首先将芯片浸泡氟化铵腐蚀液20～60sec以除去其钝化层二氧化硅； 2）将上述已经去掉钝化层二氧化硅的芯片，再进行黄光P‑SiO2光刻，以保护P电极以及电极下面的ITO膜层，黄光光刻完成后，浸泡ITO蚀刻液100～150sec，将其他地方的ITO膜去掉，去光阻后，重新进行ITO蒸镀；3）蒸镀完成后，进行黄光ITO光刻、再浸泡ITO蚀刻液蚀刻100～200sec， 露出N电极及走道；4） 去光阻后，再进行ITO熔合,最后完成点测。
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