[发明专利]三维存储器结构及其制造方法

摘要

本发明公开了一种三维存储器结构及其制造方法。三维存储器结构包括一基底、多个叠层结构、多个电荷捕捉层(charge trapping layer)、多个位线以及多个阶梯结构。叠层结构形成于基底上，各叠层结构包括多个栅极(gate)和多个栅极绝缘层(gate insulator)交错叠层于基底上方。电荷捕捉层形成于叠层结构的侧壁上。位线正交设置于叠层结构之上，位线的表面与叠层结构交错以形成多个存储元件。阶梯结构叠层于基底上方，各阶梯结构电性连接至不同的栅极。

主权项

一种三维存储器结构，包括：一基底；多个叠层结构，形成于该基底上，各该叠层结构包括：多个栅极(gate)和多个栅极绝缘层(gate insulator)交错叠层于该基底上方；多个电荷捕捉层(charge trapping layer)，形成于这些叠层结构的侧壁上；多个位线，正交设置于这些叠层结构之上，这些位线的表面与这些叠层结构交错以形成多个存储元件；以及多个阶梯结构，叠层于该基底上方，各该阶梯结构电性连接至不同的这些栅极。