[发明专利]活性炭硅化法制备多孔碳化硅陶瓷的方法有效
申请号: | 201410005562.5 | 申请日: | 2014-01-07 |
公开(公告)号: | CN103771858A | 公开(公告)日: | 2014-05-07 |
发明(设计)人: | 张小立 | 申请(专利权)人: | 中原工学院 |
主分类号: | C04B35/565 | 分类号: | C04B35/565;C04B38/08;C04B35/622 |
代理公司: | 郑州优盾知识产权代理有限公司 41125 | 代理人: | 张绍琳;张真真 |
地址: | 451191 河南省郑*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | 本发明公开了一种活性炭硅化法制备多孔碳化硅陶瓷的方法,包括以下步骤:首先,将活性炭和碳化硅粉末按质量比为0.5~3:1混合均匀,并模压成型,获得生坯;然后,将生坯放入真空烧结炉中,并在500-800℃的条件下预烧结0.5-2hr,获得预烧结坯;最后,将预烧结坯放入真空烧结炉中,在预烧结坯坯料周围撒上硅粉,所述硅粉为预烧结坯坯料质量的2~9%,并在1300-1700℃的条件下烧结0.5~3hr,获得遗传有活性炭微孔的多孔碳化硅陶瓷。本发明利用活性炭硅化法制备的多孔碳化硅陶瓷具有较高的结合强度,属于低温原位反应的方法,工艺简单,成本低,可规模化生产。 | ||
搜索关键词: | 活性炭 法制 多孔 碳化硅 陶瓷 方法 | ||
【主权项】:
一种活性炭硅化法制备多孔碳化硅陶瓷的方法,其特征在于包括以下步骤:首先,将活性炭和碳化硅粉末按质量比为0.5~3:1混合均匀,并模压成型,获得生坯;然后,将生坯放入真空烧结炉中,并在500‑800℃的条件下预烧结0.5‑2hr,获得预烧结坯;最后,将预烧结坯放入真空烧结炉中,在预烧结坯坯料周围撒上硅粉,所述硅粉为预烧结坯坯料质量的2~9%,并在1300‑1700℃的条件下烧结0.5~3hr,获得遗传有活性炭微孔的多孔碳化硅陶瓷。
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