[发明专利]一种高压驱动电路的隔离结构有效
| 申请号： | 201410005662.8 | 申请日： | 2014-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN103745988B | 公开（公告）日： | 2017-01-25 |
| 发明（设计）人： | 易扬波;李海松;陶平;陈健;张立新;吴虹;王钦 | 申请（专利权）人： | 无锡芯朋微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司32200 | 代理人： | 邵骅 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公布了一种高压驱动电路的隔离结构，包括P形衬底，在P形衬底上设有第一P型埋层、第二P型间断岛状埋层区、第三P型埋层、第一N型埋层、第二N型埋层，第二P型间断岛状埋层区位于第一P型埋层及第一N型埋层之间，第三P型埋层位于第一N型埋层和第二N型埋层之间。本发明解决了RESURF LDMOS横向PN结表面电场峰值过高的问题，提高了隔离结构的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 驱动 电路 隔离 结构 | ||
【主权项】：
一种高压驱动电路的隔离结构，其特征在于：包括P型衬底（1），在P型衬底（1）中依次设有第一P型埋层（3）、第二P型间断岛状埋层区（4）、第一N型埋层（6）、第三P型埋层（5）、第二N型埋层（7）；在P型衬底（1）的表面依次相邻连接设有第一P型阱区（9）、第一N型阱区（8）、第二N型阱区（10）、第四N型阱区（14）、第二P型阱区（12）、第五N型阱区（11）和第三N型阱区（13）；第一P型阱区（9）下方与第一P型埋层（3）相连；第一N型阱区（8）位于第二P型间断岛状埋层区（4）的上方；第二N型阱区（10）位于第一N型埋层（6）的上方，并与其相连；第二P型阱区（12）位于第三P型埋层（5）的上方，并与其相连；第三N型阱区（13）位于第二N型埋层（7）的上方，并与其相连；在第一P型阱区（9）中设有第一P型接触区（15）和第一N型接触区（16）；在第二N型阱区（10）中设有第二N型接触区（17）；在第三N型阱区（13）中设有第二P型接触区（18）和第三N型接触区（19）；在第二P型接触区（18）和第三N型接触区（19）上设有金属（20），并且通过金属（20）与第二N型接触区（17）相连。
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