[发明专利]一种场效应晶体管的制备方法及相应场效应晶体管有效
| 申请号： | 201410006144.8 | 申请日： | 2014-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN104766799B | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | 赵圣哲 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种场效应晶体管的制备方法及相应场效应晶体管，解决了现有技术中存在漏极位于衬底背面的场效应晶体管的导通损耗较大问题。该方法应用于漏极位于衬底背面的场效应晶体管，包括：在位于衬底正面的器件制备工序完成后，用保护膜覆盖衬底正面；对衬底背面进行减薄处理；对减薄后的衬底背面进行机械抛光处理，使衬底背面的表面粗糙度在预设范围内；对机械抛光后的衬底背面进行化学腐蚀及清洗；在化学腐蚀及清洗后的衬底背面上制备漏极电极。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应晶体管 衬底背面 衬底 制备 衬底正面 化学腐蚀 漏极 清洗 机械抛光处理 保护膜覆盖 表面粗糙度 导通损耗 机械抛光 减薄处理 漏极电极 器件制备 减薄 预设 | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管的制备方法，所述场效应晶体管的漏极位于衬底背面，其特征在于，所述场效应晶体管为垂直双扩散金属‑氧化物半导体场效应晶体管，所述方法包括：在位于衬底正面的器件制备工序完成后，用保护膜覆盖衬底正面；采用机械研磨的方式对衬底背面进行减薄处理；其中，减薄处理所用第一砂轮的目数在300～350目范围之内；采用机械研磨的方式对减薄后的衬底背面进行机械抛光处理，使衬底背面的表面粗糙度在预设范围内；其中，机械抛光处理所用第二砂轮的目数在325～500目范围之内；对机械抛光后的衬底背面进行化学腐蚀及清洗；在化学腐蚀及清洗后的衬底背面上制备漏极电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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