[发明专利]一种碲镉汞红外材料器件双面平坦化方法无效
| 申请号： | 201410006177.2 | 申请日： | 2014-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN103762271A | 公开（公告）日： | 2014-04-30 |
| 发明（设计）人： | 李春领;王春红;秦艳红 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/304 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人： | 张蕾 |
| 地址： | 100015*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碲镉汞红外材料器件双面平坦化方法，包括：步骤A：将外延制备的碲锌镉基碲镉汞材料正面进行正面平坦化处理；步骤B：将表面平坦化处理后的正面进行标准的碲镉汞器件制备；步骤C：在互连之前将制备的碲镉汞器件正面进行光刻胶保护，将器件正面粘结在玻璃板上；步骤D：测试碲镉汞器件表面的厚度；步骤E：对器件背面的碲锌镉衬底进行背面平坦化。通过本发明大大提高了碲镉汞材料器件的平面度，满足大面阵红外焦平面器件与Si读出电路的互连要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碲镉汞 红外 材料 器件 双面 平坦 方法 | ||
【主权项】：
一种碲镉汞红外材料器件双面平坦化方法，其特征在于，包括：步骤A：将外延制备的碲锌镉基碲镉汞材料正面进行正面平坦化处理;步骤B：将表面平坦化处理后的正面进行标准的碲镉汞器件制备；步骤C：在互连之前将制备的碲镉汞器件正面进行光刻胶或环氧树脂保护，将器件正面粘结在玻璃板上；步骤D：测试碲镉汞器件表面的厚度；步骤E：对碲镉汞材料器件背面的碲锌镉衬底进行背面平坦化处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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