[发明专利]沟渠式MOS整流元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410006584.3 | 申请日： | 2014-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN104241363B | 公开（公告）日： | 2018-01-19 |
| 发明（设计）人： | 金勤海 | 申请（专利权）人： | 竹懋科技股份有限公司;金勤海 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人： | 汤在彦 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟渠式MOS整流元件及其制造方法，该元件包含多个沟渠平行形成于重掺杂的n+半导体基板上的n‑外延层内，多个沟渠内具有沟渠氧化层形成于沟渠底部及侧壁；一导电性杂质掺杂第一多晶硅层填满多个沟渠；一平面栅极氧化层形成于多个沟渠相间的平台；一导电性杂质掺杂第二多晶硅层形成于所述平台上，第二多晶硅层及其下的平面栅极氧化层被图案化，而形成平面MOS结构。p型掺杂区形成于平台上MOS结构的两侧作为阳极的一部分；一顶部金属层形成于该半导体基板正面，连接该MOS结构的源、栅极及第一多晶硅层。本发明提供的沟渠式MOS整流元件结构，可充分利用可被利用的平面面积，使得顺向偏压更低，反向漏电更小。 | ||
| 搜索关键词： | 沟渠 mos 整流 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种沟渠式MOS整流元件，其特征在于，所述元件包含：多个沟渠平行形成于重掺杂的n+半导体基板上的n‑外延层内，所述多个沟渠内具有沟渠氧化层，所述沟渠氧化层形成于所述多个沟渠底部及侧壁；一导电性杂质掺杂第一多晶硅层填满所述多个沟渠；多个平面MOS结构形成于所述多个沟渠相间的每一平台上；多个p型杂质掺杂区形成于所述平台该平面MOS结构的两侧的n‑外延层内，使得该些p型杂质掺杂区与该些平面MOS结构交错沿平行沟渠方向形成，该些p型杂质掺杂区的每一个还包含两个n+掺杂区，所述n+掺杂区形成于紧临该平面MOS结构的两侧；一顶部金属层形成于该半导体基板正面，连接该平面MOS结构的源极、栅极及该第一多晶硅层。
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