[发明专利]闪存及对应的编程方法、读取方法和擦除方法

摘要

一种闪存及对应的编程方法、读取方法和擦除方法，所述闪存的存储单元为分栅式闪存，且所述存储单元的字线与预充电单元相连接，当闪存进行预充电时，将各条位线上的电压预充且维持在预充电电压。由于所述预充电单元能将各条位线上的电压预充且维持在预充电电压，未涉及编程操作的其他位线不会因为漏电流的存在而导致电压下降，因此除了待编程的存储单元外，其他的存储单元源区和漏区之间没有电流流经，因此能有效的防止编程过程中对不涉及编程操作的存储单元进行误操作。

主权项

一种闪存，其特征在于，包括：存储单元阵列、字线选通单元、位线选通单元、控制栅选通单元和预充电单元；所述存储单元阵列包括若干个呈矩阵排列的存储单元，所述存储单元为分栅式闪存单元，所述分栅式闪存单元包括位于半导体衬底表面间隔排列的第一存储位单元和第二存储位单元，所述第一存储位单元内具有第一浮栅和第一控制栅，所述第二存储位单元内具有第二浮栅和第二控制栅，填充满所述第一存储位单元和第二存储位单元之间沟槽的字线，位于所述第一存储位单元和第二存储位单元外侧的源区和漏区，与所述源区和漏区电连接的位线；所述字线选通单元与所述存储单元的字线相连接，利用所述字线选通单元选择并控制对应的存储位单元进行读取、编程、擦除处理；所述位线选通单元与所述存储单元的位线相连接，利用所述位线选通单元选择并控制对应的存储位单元进行读取、编程、擦除处理；所述控制栅选通单元与所述存储单元的第一控制栅和第二控制栅相连接，利用所述控制栅选通单元选择并控制对应的存储位单元进行读取、编程、擦除处理；所述预充电单元与所述存储单元的位线相连接，所述闪存在进行预充电时，将各条位线上的电压预充且维持在预充电电压。