[发明专利]一种基于光载流子辐射技术的半导体硅片激光退火在线检测方法

摘要

本发明涉及一种基于光载流子辐射技术的半导体硅片激光退火在线检测方法，其特征在于：在半导体材料激光退火装置中加入一光学检测系统，以实现对激光退火的实时在线检测。该光学检测系统包含一束光子能量大于本征半导体材料禁带宽度的强度周期性调制的激励光束，以及一光载流子红外辐射信号收集装置。通过与参考样品的光载流子辐射信号数据进行比较，进而实时调整激光退火参数，实现预期退火效果，提高半导体材料的退火效率。

主权项

一种基于光载流子辐射技术的半导体硅片激光退火在线检测方法，其特征在于：该方法在半导体材料激光退火装置中加入一基于光载流子辐射技术的光学检测系统，即将一束强度周期性调制的激励光束照射到退火半导体材料表面，产生的周期性调制载流子经辐射复合产生红外辐射信号，即光载流子辐射信号，通过收集并比较退火半导体材料和参考样品的光载流子辐射信号的振幅值和/或相位值，进而实时调节激光退火参数，达到预期退火效果，实现对激光退火的实时在线检测和/或控制。