[发明专利]半导体器件、半导体系统以及半导体器件的控制方法有效

专利信息
申请号: 201410006832.4 申请日: 2014-01-07
公开(公告)号: CN104240752B 公开(公告)日: 2018-05-22
发明(设计)人: 玉成华 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: G11C11/413 分类号: G11C11/413
代理公司: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 代理人: 俞波;毋二省
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种半导体器件,包括:模式寄存器配置,适用于产生第一内部控制信号和第二内部控制信号;按DRAM寻址PDA驱动单元,适用于响应于第一内部控制信号和经由数据焊盘输入的数据的输入值而复位模式寄存器配置;以及循环冗余校验CRC驱动单元,适用于响应于第一内部控制信号和第二内部控制信号而通过检查数据是否经由数据焊盘被正确地输入而没有错误来执行CRC操作。
搜索关键词: 半导体器件 半导体 系统 以及 控制 方法
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:模式寄存器配置,所述模式寄存器配置适用于产生内部控制信号,所述内部控制信号包括第一内部控制信号和第二内部控制信号;按DRAM寻址PDA驱动单元,所述PDA驱动单元适用于响应于所述第一内部控制信号和经由数据焊盘输入的数据的输入值而复位所述模式寄存器配置;以及循环冗余校验CRC驱动单元,所述CRC驱动单元适用于:响应于所述第一内部控制信号和所述第二内部控制信号,通过检查数据是否经由所述数据焊盘在没有错误的情况下被正确地输入来执行CRC操作。
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