[发明专利]半导体器件制造方法在审
| 申请号： | 201410007055.5 | 申请日： | 2014-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN104766823A | 公开（公告）日： | 2015-07-08 |
| 发明（设计）人： | 杨红;王文武;赵超;闫江;殷华湘 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成多个第一栅极沟槽和多个第二栅极沟槽；在所述多个第一栅极沟槽和多个第二栅极沟槽中形成栅极介质层；在所述栅极介质层上形成第二金属功函数调节层；选择性调节所述多个第一栅极沟槽中的第二金属功函数调节层的厚度；在所述第二金属功函数调节层上形成第一金属功函数调节层；在所述第一金属功函数调节层上形成扩散阻挡层；在所述扩散阻挡层上形成栅极金属层。依照本发明的半导体器件制造方法，通过选择性沉积/刻蚀不同器件区上的多个金属功函数层，简化了CMOS集成工艺，有利于实现多阈值电压调控，进一步提高了器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成多个第一栅极沟槽和多个第二栅极沟槽；在所述多个第一栅极沟槽和多个第二栅极沟槽中形成栅极介质层；在所述栅极介质层上形成第二金属功函数调节层；选择性调节所述多个第一栅极沟槽中的第二金属功函数调节层的厚度；在所述第二金属功函数调节层上形成第一金属功函数调节层；在所述第一金属功函数调节层上形成扩散阻挡层；在所述扩散阻挡层上形成栅极金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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