[发明专利]增强NAND型FLASH可靠性的方法有效
| 申请号： | 201410007085.6 | 申请日： | 2014-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN104766629B | 公开（公告）日： | 2018-09-14 |
| 发明（设计）人： | 刘会娟;朱一明;苏志强 | 申请（专利权）人： | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C29/00 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 胡彬 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及闪存技术领域，尤其涉及一种增强NAND型FLASH可靠性的方法，包括：预先获取NAND型FLASH每次读取、擦除或编程时各存储单元的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数；预先根据存储阵列每次读取、擦除或编程时各存储单元的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数，建立衰退模型，并保存衰退模型至存储阵列中；在使用过程中，进行读取、擦除或编程时，根据预先保存的衰退模型调整相应的读取、擦除或编程方式；根据调整后的读取、擦除或编程方式对所述NAND型FLASH进行读取、擦除或编程。本发明技术方案在读取、擦除或编程时利用衰退模型对存储单元的阈值电压进行补偿，增强了NAND型FLASH的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 读取 擦除 编程 存储单元 阈值电压 衰退 编程方式 存储阵列 模型调整 闪存技术 预先保存 预先获取 保存 | ||
【主权项】：
1.一种增强NAND型FLASH可靠性的方法，其特征在于，包括：预先通过测试过程获取NAND型FLASH存储阵列每次读取、擦除或编程时各存储单元的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数；预先根据所述存储阵列每次读取、擦除或编程时各存储单元的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数，建立衰退模型，并保存衰退模型至存储阵列中；在使用过程中，进行读取、擦除或编程时，根据预先保存的衰退模型调整相应的读取、擦除或编程方式；根据调整后的读取、擦除或编程方式对所述NAND型FLASH进行读取、擦除或编程。
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