[发明专利]晶片规模热电能量收集器有效
| 申请号： | 201410007637.3 | 申请日： | 2014-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN103972259B | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | 陈宝兴 | 申请（专利权）人： | 美国亚德诺半导体公司 |
| 主分类号： | H01L27/16 | 分类号： | H01L27/16;H01L35/32 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 申发振 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种集成电路可以包括基板和形成于所述基板上的电介质层。多个p型热电元件和多个n型热电元件可被布置于所述电介质层内。p型热电元件和n型热电元件可以串联连接，同时在p型热电元件和n型热电元件之间交替。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 规模 热电 能量 收集 | ||
【主权项】：
一种集成电路，其包括：基板；电介质层，被形成于所述基板上；多个p型热电元件，被布置于所述电介质层内；和多个n型热电元件，被布置于所述电介质层内，其中所述p型热电元件和所述n型热电元件以所述p型热电元件和所述n型热电元件彼此交替的方式串联连接，其中p型热电元件以及n型热电元件的一端的掺杂水平的浓度或者散射元件相比于相对端能够被配置为增加或者降低。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
