[发明专利]光照射装置在审
| 申请号： | 201410007906.6 | 申请日： | 2014-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN103943536A | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | 千贺岳人 | 申请（专利权）人： | 优志旺电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;B08B7/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种光照射装置，防止因在一对外部电极间形成的电场的影响而在被处理体上的布线图案处发生异常放电而受损伤。该光照射装置具备在发光管的上下外表面上配置一对外部电极而成的准分子灯、及收容该准分子灯并且在下方设置有光取出开口的外壳，所述一对外部电极中的、与被处理体对置的下方的外部电极被施加低电压，上方的外部电极被施加高电压，其特征在于，在所述外壳的光取出开口上，在所述高压侧的外部电极与被处理体之间且沿着所述准分子灯的长度方向的位置，具备电场遮蔽部件，该电场遮蔽部件对在所述高压侧的外部电极与所述低压侧的外部电极之间形成的电场进行遮蔽。 | ||
| 搜索关键词： | 照射 装置 | ||
【主权项】：
一种光照射装置，具备：准分子灯，在封入了发光气体的发光管的上下外表面上配置一对外部电极而成；以及外壳，收容该准分子灯并且在下方设置有光取出开口，所述一对外部电极中的、与被处理体对置的下方的外部电极被施加低电压，上方的外部电极被施加高电压，该光照射装置的特征在于，在所述外壳的光取出开口上，在所述高压侧的外部电极与被处理体之间且沿着所述准分子灯的长度方向的位置，具备电场遮蔽部件，该电场遮蔽部件对在所述高压侧的外部电极与所述低压侧的外部电极之间形成的电场进行遮蔽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
