[发明专利]一种基于阻性存储器的多位存储结构及其读写操作方法有效
| 申请号： | 201410008330.5 | 申请日： | 2014-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN103761987A | 公开（公告）日： | 2014-04-30 |
| 发明（设计）人： | 陈进才;周西;周功业;周可;卢萍;范鹤鹤 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 朱仁玲 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于阻性存储器的多位存储结构，所述多位存储结构包括依次同向叠放的N个阻性存储单元，每两个相邻叠放的阻性存储单元之间间隔一层导电的金属薄膜；每个阻性存储单元具有高阻态HRS和低阻态LRS两种状态，所述整个多位存储结构具有N+1个阻值状态，对应N+1个存储状态，其中所述N大于等于2。本发明还提供了一种基于上述多位存储结构的读写操作方法。本发明通过同向叠放多个阻性存储单元，组成了多位存储结构，从而在提高RRAM存储器密度的同时也保证了RRAM存储器的读写操作的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 存储器 存储 结构 及其 读写 操作方法 | ||
【主权项】：
一种基于阻性存储器的多位存储结构，其特征在于，所述多位存储结构包括依次同向叠放的N个阻性存储单元，每两个相邻叠放的阻性存储单元之间间隔一层导电的金属薄膜；每个阻性存储单元具有高阻态HRS和低阻态LRS两种状态，所述整个多位存储结构具有N+1个阻值状态，对应N+1个存储状态，其中所述N为大于等于2的自然数。
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